محاسبات عددی فاکتور حفاظت فیزیکی ساختار های مختلف MOSFET در زمینه اشعه گاما Numerical computation of the physical shielding factor for different structures of MOSFET in gamma irradiation field
- نوع فایل : کتاب
- زبان : انگلیسی
- ناشر : IEEE
- چاپ و سال / کشور: 2018
توضیحات
رشته های مرتبط مهندسی برق، فیزیک
گرایش های مرتبط مهندسی الکترونیک، مدارهای مجتمع الکترونیک، الکترونیک قدرت و ماشینهای الکتریکی، فیزیک کاربردی
مجله سی امین کنفرانس بین المللی میکروالکترونیک – 30th International Conference on Microelectronics
دانشگاه Institute of nuclear sciences “VINČA” – University of Belgrade – Serbia
منتشر شده در نشریه IEEE
گرایش های مرتبط مهندسی الکترونیک، مدارهای مجتمع الکترونیک، الکترونیک قدرت و ماشینهای الکتریکی، فیزیک کاربردی
مجله سی امین کنفرانس بین المللی میکروالکترونیک – 30th International Conference on Microelectronics
دانشگاه Institute of nuclear sciences “VINČA” – University of Belgrade – Serbia
منتشر شده در نشریه IEEE
Description
Abstract: In this study conducted numerical experiments aimed to determine the physical shielding factors (PSF) for two different MOSFET structures. The purpose of this paper was to present the new possibilities of the Monte Carlo numerical simulations for interaction of gamma irradiation of 60Co and 137Cs with semiconductor devices that are often located as dosimeters together with complex electronics power systems. The transport of incident photon particles is simulated with Monte Carlo code FOTELP-2014. When kovar is used as a lid in the gamma radiation field, the implemented calculations show that the PSF values for the ESAPMOS RADFET structure are significantly higher than the PSF values for the standard MOSFET structure.
